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 Zn2SnO4 Thin Film Based Nonvolatile Positive Optoelectronic Memory for Neuromorphic Computing 用于神经形态计算的Zn2SnO4薄膜非易失性正光电存储器
相关领域
神经形态工程学
材料科学
光电子学
非易失性存储器
薄膜
计算机科学
纳米技术
人工智能
人工神经网络
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| 其它 |
期刊：ACS applied electronic materials 作者：Saransh Shrivastava; Yu-Tang Lin; Bhaskar Pattanayak; Albert Lin; Chia-Cheng Hsu; et al 出版日期：2022-03-24 |
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