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标题
Threshold voltage dependence on channel length in amorphous-indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors
非晶态铟镓锌氧化物薄膜晶体管阈值电压与沟道长度的关系
相关领域
阈值电压 材料科学 薄膜晶体管 无定形固体 镓 铟 兴奋剂 费米能级 光电子学 分析化学（期刊） 晶体管 电压 电气工程 化学 纳米技术 结晶学 冶金 物理 图层（电子） 电子 工程类 量子力学 色谱法
网址
https://doi.org/10.1063/1.4793996
AI链接 aip.orgdoi.org
DOI
10.1063/1.4793996 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Da Hyun Kang; Ji Ung Han; Mallory Mativenga; Su Hwa Ha; Jin Jang
出版日期：2013-02-25
求助人
坐井观天的蛙 在 2024-12-21 09:53:54 发布自四川，悬赏 10 积分
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