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 Ka Band GaN MIS-HEMT with ALD-SiN Gate Dielectric and Lp-SiN Passivation Layer 具有ALD-SiN栅介质和Lp-SiN钝化层的Ka波段GaN MIS-HEMT
相关领域
钝化
高电子迁移率晶体管
光电子学
材料科学
电介质
图层（电子）
宽禁带半导体
原子层沉积
栅极电介质
电气工程
晶体管
纳米技术
工程类
电压
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期刊：2022 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2022 作者：Wei Ke; Yichuan Zhang; Sheng Zhang; Xiaoqiang He; Jiaqi Guo; et al 出版日期：2024-06-16 |
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