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Negative differential resistance characteristics of GaN-based resonant tunneling diodes with quaternary AlInGaN as barrier
以四元AlInGaN为势垒的GaN基共振隧穿二极管的负微分电阻特性
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Wen-Lu Yang; Lin‐An Yang; Xiao-Yu Zhang; Yang Li; Xiaohua Ma; et al 出版日期:2020-11-27 |
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