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Defect mediated van der Waals epitaxy of hexagonal boron nitride on graphene
石墨烯上六方氮化硼缺陷介导范德华外延
相关领域
石墨烯
材料科学
成核
范德瓦尔斯力
分子束外延
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纳米技术
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氮化硼
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物理
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期刊:2D Materials 作者:Martin Heilmann; Muhammad Y. Bashouti; A. Yu. Egorov; J. M. J. Lopes 出版日期:2018-01-15 |
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