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 Increased critical thickness for high Ge-content strained SiGe-on-Si using selective epitaxial growth 利用选择性外延生长增加高Ge含量应变SiGe-on-Si的临界厚度
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Meekyung Kim; Pouya Hashemi; Judy L. Hoyt 出版日期：2010-12-27 |
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