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 Quantum conductance in MoS2 quantum dots-based nonvolatile resistive memory device 基于MoS2量子点的非易失性电阻存储器件中的量子电导
相关领域
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材料科学
光电子学
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氧化锡
纳米技术
兴奋剂
图层（电子）
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Dongliang Wang; Fengzhen Ji; Xinman Chen; Yan Li; Baofu Ding; et al 出版日期：2017-02-27 |
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