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 Enhanced Stability Under Positive Bias Temperature Stress of Ln-Doped Inzno Thin Film Transistors Fabricated with a Back-Channel-Etch Structure 用背沟道蚀刻结构制备的Ln掺杂Inzno薄膜晶体管在正偏压温度应力下的稳定性增强
相关领域
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期刊： 作者：Juncheng Xiao; Yuan Dong; Maio Xu; Ce Liang; Shi‐Min Ge; et al 出版日期：2023-01-01 |
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