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Nano-Schottky barrier diodes based on Sb-doped ZnS nanoribbons with controlled p-type conductivity
基于可控p型电导率掺Sb ZnS纳米带的纳米肖特基势垒二极管
相关领域
兴奋剂 材料科学 肖特基势垒 肖特基二极管 二极管 光电子学 掺杂剂 整改 电导率 纳米- 宽禁带半导体 发光二极管 p-n结 纳米技术 半导体 化学 复合材料 电气工程 物理化学 电压 工程类
网址
https://doi.org/10.1063/1.3569590
DOI
10.1063/1.3569590 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Qiang Peng; Jiansheng Jie; Chao Xie; Li Wang; Xiwei Zhang; et al
出版日期：2011-03-21
求助人
s615 在 2024-10-21 13:20:33 发布自美国，悬赏 30 积分
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