标题 |
A Physics-Informed Artificial Neural Network Modeling Approach for Wide Temperature Range 4H-SiC MOSFETs
宽温度范围4H-SiC MOSFET的物理信息人工神经网络建模方法
相关领域
人工神经网络
航程(航空)
计算机科学
大气温度范围
材料科学
人工智能
电子工程
物理
工程类
热力学
复合材料
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期刊: 作者:Wenhao Yang; Yuyin Sun; Mengnan Qi; Shasha Mao; Yimeng Zhang; et al 出版日期:2023-11-02 |
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