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 Role of Gate Hole Injection in Minimizing Substrate Coupling and Electron Trapping in AlGaN/GaN Power HEMTs 栅空穴注入在AlGaN/GaN功率HEMTs中最小化衬底耦合和电子俘获中的作用
相关领域
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期刊：2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 作者：Anna Franca Cavaliere; Carlo De Santi; Gaudenzio Meneghesso; E. Zanoni; Matteo Meneghini 出版日期：2024-04-14 |
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