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 Ar/NH3 Radio‐Frequency Plasma Etching and N‐doping to Stabilize Metallic Phase 1T‐MoS2 for Fast and Durable Sodium‐Ion Storage Ar/NH3射频等离子体刻蚀和N掺杂稳定金属相1T-MoS2以实现快速持久的钠离子存储
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Shijun Tian; Weiheng Chen; Ruoxing Wang; Chu Qin; Zhong‐Jie Jiang; et al 出版日期：2024-07-10 |
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