标题 |
A survey of Gallium Nitride HEMT for RF and high power applications
射频大功率氮化镓HEMT研究进展
相关领域
高电子迁移率晶体管
氮化镓
材料科学
光电子学
击穿电压
钝化
无线电频率
放大器
带隙
宽禁带半导体
电压
电气工程
晶体管
纳米技术
图层(电子)
工程类
CMOS芯片
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其它 |
期刊:Superlattices and Microstructures 作者:A.S. Augustine Fletcher; D. Nirmal 出版日期:2017-09-01 |
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