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 Design of ion-implanted MOSFET's with very small physical dimensions 极小物理尺寸的离子注入MOSFET的设计
相关领域
MOSFET
材料科学
离子注入
制作
基质（水族馆）
缩放比例
光电子学
信道长度调制
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短通道效应
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期刊：IEEE Journal of Solid-state Circuits 作者：R.H. Dennard; F.H. Gaensslen; Hsing-Tse Yu; V.L. Rideout; E. Bassous; et al 出版日期：1974-10-01 |
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