标题 |
Growth and defect formation mechanism of CVD-prepared SiC coatings based on cross-scale simulation
基于交叉尺度模拟的CVD法制备SiC涂层生长及缺陷形成机理
相关领域
材料科学
沉积(地质)
石墨
化学气相沉积
基质(水族馆)
计算流体力学
涂层
分子动力学
气流
纳米技术
复合材料
机械工程
化学
机械
计算化学
物理
地质学
古生物学
工程类
海洋学
生物
沉积物
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Chemical Engineering Journal 作者:Xurui Wang; Hongyan Li; Hongli Liu; Kai Cao; Shilei Xia; et al 出版日期:2024-01-01 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|