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 H2 evolution at Si-based metal–insulator–semiconductor photoelectrodes enhanced by inversion channel charge collection and H spillover 反转沟道电荷收集和H溢出增强硅基金属——绝缘体——半导体光电极的H2演化
相关领域
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化学
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冶金
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| 其它 |
期刊：Nature Materials 作者：Daniel V. Esposito; Igor Levin; Thomas P. Moffat; A. Alec Talin 出版日期：2013-05-05 |
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