Interface Modification by Ga2O3 Atomic Layers within Er-Doped GeO2 Nanofilms for Enhanced Electroluminescence and Operation Stability

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标题	Interface Modification by Ga2O3 Atomic Layers within Er-Doped GeO2 Nanofilms for Enhanced Electroluminescence and Operation Stability 掺铒GeO2纳米薄膜中Ga2O3原子层的界面修饰增强电致发光和工作稳定性
网址	https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsami.4c15787
DOI	10.1021/acsami.4c15787 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Zejun Ye; Zengxin Yan; Xinliang Guo; Yang Yang; Jiaming Sun 出版日期：2025-01-04
求助人	宋宋在 2025-01-05 10:05:36 发布自黑龙江，悬赏 10 积分
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