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[高分]
 IGBT栅极驱动芯片及过流保护技术研究 |
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朱弘月 中国科学院大学 引用 摘要：为了缩短栅极驱动芯片中由于固定消隐时间而导致的短路检测延时，本论文提出了一种用于退饱和短路检测中的自适应消隐时间产生电路。自适应消隐时间产生电路能够自动调整消隐时间，并且消除由于消隐时间电容充电缓慢而造成的短路检测延时，提高短路检测速度。消隐时间的自动调整分为两种情况:当IGBT正常开启或发生负载故障(FUL)时，通过检测集电极-发射极电压VCE变化来对消隐时间进行调整;当IGBT发生硬开关(HSF)时，通过检测IGBT栅极电压VGE来自动调整消隐时间。基于UMC工艺库，针对自适应消隐时间电路进行设计及仿真验证。仿真结果显示，与传统的固定消隐时间电路相比... 关键词： 绝缘栅双极型晶体管栅极驱动芯片过流保护 授予学位： 博士 学科专业： 微电子学与固体电子学 导师姓名： 程新红俞跃辉 学位年度： 2020 语种： 中文 分类号： TN322.8(半导体技术) |
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