标题 |
Abnormal Silicon-Germanium (SiGe) Epitaxial Growth in FinFETs
鳍式场效应晶体管中异常硅-砷(GEM)磊晶生长
相关领域
锗
外延
硅
材料科学
光电子学
硅锗
工程物理
电子工程
工程类
纳米技术
图层(电子)
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DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 作者:Talapady Srivatsa Bhat; Shashidhar Shintri; Brad Chen; Hsien-Ching Lo; Jianwei Peng; et al 出版日期:2020-05-01 |
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