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标题
Vertical conducting ultraviolet light-emitting diodes based on p-ZnO:As/n-GaN/n-SiC heterostructure
基于p-ZnO：As/n-GaN/n-SiC异质结构的垂直导电紫外发光二极管
相关领域
材料科学 电致发光 光电子学 紫外线 二极管 宽禁带半导体 发光二极管 异质结 纳米技术 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1063/1.4802806
DOI
10.1063/1.4802806 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Zhifeng Shi; Yuantao Zhang; Bin Wu; Xupu Cai; Jinxiang Zhang; et al
出版日期：2013-04-22
求助人
小舒 在 2024-12-18 16:07:34 发布自河南，悬赏 10 积分
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