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 Performance Enhancement of Thin-Film Transistor Based on In$_{\text{2}}$O$_{\text{3}}$:F/In$_{\text{2}}$O$_{\text{3}}$ Homojunction 基于In$_{\text{2}}$O$_{\text{3}}$：F/In$_{\text{2}}$O$_{\text{3}}$ Homojunction
相关领域
同质结
符号
物理
数学
光电子学
算术
兴奋剂
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Bowen Yan; Yanan Ding; Tongzheng Li; Haiyang Qiu; Yepeng Shi; et al 出版日期：2023-01-01 |
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