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标题
H2 based etching of GaN for re-grown gallium-free InAlN barriers giving very low 2DEG sheet resistance of 185 Ω/sq
用于再生长无镓InAlN势垒的GaN的H2基蚀刻，给出185 Ω/sq的非常低的2DEG薄层电阻
相关领域
薄板电阻 材料科学 镓 蚀刻（微加工） 氮化镓 光电子学 薄脆饼 图层（电子） 降级（电信） 晶体管 纳米技术 电子工程 冶金 电气工程 工程类 电压
网址
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126674
AI链接 sciencedirect.comdoi.org
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2022.126674 doi
其它 期刊：Journal of Crystal Growth
作者：Mrad Mrad; Yann Mazel; D. Blachier; G. Feuillet; Matthew Charles
出版日期：2022-04-15
求助人
研友_nV21Vn 在 2025-03-13 21:15:20 发布自湖北，悬赏 10 积分
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