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 A Light Incident Angle Switchable ZnO Nanorod Memristor: Reversible Switching Behavior Between Two Non‐Volatile Memory Devices 光入射角可切换ZnO纳米棒忆阻器：两个非易失性存储器件之间的可逆开关行为
相关领域
记忆电阻器
材料科学
钝化
纳米棒
光电子学
电阻器
电阻随机存取存储器
图层（电子）
电极
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期刊：Advanced Materials 作者：Jinjoo Park; Seunghyup Lee; Junghan Lee; Kijung Yong 出版日期：2013-09-01 |
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