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 Towards information storage by designing both electron and hole detrapping processes in bismuth and lanthanide-doped LiRE(Si,Ge)O4 (RE = Y, Lu) with high charge carrier storage capacity 通过在具有高载流子存储容量的铋和镧系元素掺杂的LiRE(Si，Ge）O4(RE=Y，Lu）中设计电子和空穴去俘获过程来实现信息存储
相关领域
镧系元素
热释光
兴奋剂
电子
铋
材料科学
离子
荧光粉
掺杂剂
彭宁离子阱
分析化学（期刊）
发光
化学
物理
光电子学
有机化学
量子力学
冶金
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期刊：Chemical Engineering Journal 作者：Tianshuai Lyu; P. Dorenbos 出版日期：2020-03-15 |
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