| 标题 |
 Modeling the role of oxygen vacancy on ferroelectric properties in thin films 氧空位对薄膜铁电性能的影响
相关领域
铁电性
材料科学
八面体
凝聚态物理
氧气
离子
钙钛矿（结构）
磁滞
电场
铁电陶瓷
空间电荷
薄膜
空位缺陷
化学物理
钛
纳米技术
化学
结晶学
电介质
物理
光电子学
电子
有机化学
冶金
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of applied physics 作者：Veng Cheong Lo 出版日期：2002-11-12 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
薰硝壤
xjcy
不配.
寻道图强
Singularity
rosalieshi
shinysparrow
嗯哼
坚强的广山
科研小张
iNk
飞翔的霸天哥
tuanheqi
Chenmengdan
美好斓
yufanhui
OCDer
罗_
zyt
spark810
皖公网安备34019202002308
