Measurement of semiconductor–insulator interface states by constant-capacitance deep-level transient spectroscopy

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标题	Measurement of semiconductor–insulator interface states by constant-capacitance deep-level transient spectroscopy 半导体——绝缘体界面态的恒电容深能级瞬态谱测量相关领域深能级瞬态光谱半导体材料科学电容光电子学半导体器件电容器化学电气工程电压纳米技术电极工程类物理化学硅图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1116/1.571768
DOI	10.1116/1.571768 doi
其它	期刊：Journal of Vacuum Science and Technology 作者：N. M. Johnson 出版日期：1982-07-01
求助人	拾贰在 2024-03-05 09:41:59 发布自湖北，悬赏 10 积分
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