Vertical GaN junction barrier Schottky diodes with near-ideal performance using Mg implantation activated by ultra-high-pressure annealing

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标题	Vertical GaN junction barrier Schottky diodes with near-ideal performance using Mg implantation activated by ultra-high-pressure annealing 相关领域肖特基二极管材料科学肖特基势垒光电子学二极管退火（玻璃）电接点击穿电压 p-n结电压电气工程半导体复合材料工程类
网址	https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac8f81
DOI	10.35848/1882-0786/ac8f81 doi
其它	期刊：Applied Physics Express 作者：Dolar Khachariya; Shane Stein; Will Mecouch; M. Hayden Breckenridge; Shashwat Rathkanthiwar; et al 出版日期：2022-09-05
求助人	海岛chili 在 2022-11-10 23:03:03 发布自日本，悬赏 10 积分
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