| 标题 |
 Influence of the GaN cap layer thickness on the two- dimensional electron gas (2-DEG) sheet charge density of GaN/AlInN/GaN HEMTs with polarization effect 相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
光电子学
异质结
费米气体
图层（电子）
宽禁带半导体
氮化镓
晶体管
电子密度
阻挡层
电子
电压
纳米技术
电气工程
物理
工程类
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Digest Journal of Nanomaterials and Biostructures 作者：A. Bellakhdar; A. Telia 出版日期：2022-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
有人
肯德鸭
寻道图强
iNk
LY
浅尝离白
Estrella
pcr163
丰盛的煎饼
王灿灿
tuanheqi
Singularity
AireenBeryl531
8R60d8
张亮
完美的天空
yufanhui
贰鸟
Clover04
kento
皖公网安备34019202002308
