Highly Stacked 8 Ge0.9Sn0.1 Nanosheet pFETs with Ultrathin Bodies (~3nm) and Thick Bodies (~30nm) Featuring the Respective Record ION/IOFF of 1.4x107 and Record ION of 92μA at Vov=VDS= -0.5V by CVD Epitaxy and Dry Etching

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标题	Highly Stacked 8 Ge0.9Sn0.1 Nanosheet pFETs with Ultrathin Bodies (~3nm) and Thick Bodies (~30nm) Featuring the Respective Record ION/IOFF of 1.4x107 and Record ION of 92μA at Vov=VDS= -0.5V by CVD Epitaxy and Dry Etching
网址	https://ieeexplore.ieee.org/document/9720660
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
求助人	marl 在 2023-01-31 22:49:38 发布自浙江，悬赏 10 积分
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