标题 |
[高分] Analytical Modeling of the Silicon Carbide (SiC) MOSFET during Switching Transition for EMI Investigation
相关领域
材料科学
碳化硅
MOSFET
光电子学
电磁干扰
电子工程
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其它 |
期刊:IEICE Transactions on Electronics 作者:Yingzhe Wu; Hui Li; Wenjie Ma; Dingxin Jin 出版日期:2019-09-01 |
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