Improved interface and dark current properties of InGaAs photodiodes by high-density N2 plasma and stoichiometric Si3N4 passivation

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标题	Improved interface and dark current properties of InGaAs photodiodes by high-density N2 plasma and stoichiometric Si3N4 passivation 相关领域钝化暗电流材料科学电流密度光电二极管感应耦合等离子体分析化学（期刊）等离子体化学计量学饱和电流体积流量化学气相沉积光电子学
网址	https://doi.org/10.1016/j.infrared.2022.104084
DOI	10.1016/j.infrared.2022.104084 doi
其它	期刊：Infrared Physics & Technology 作者：Ming Shi; Xiumei Shao; Hengjing Tang; Xue Li; Haimei Gong 出版日期：2022-02-01
求助人	周子强在 2022-09-20 09:20:56 发布自上海，悬赏 10 积分
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