Activating and optimizing MoS2 basal planes for hydrogen evolution through the formation of strained sulphur vacancies

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标题	Activating and optimizing MoS2 basal planes for hydrogen evolution through the formation of strained sulphur vacancies 相关领域催化作用基面单层氢空位缺陷钼二硫化钼材料科学硫黄吸附费米能级惰性化学化学物理纳米技术结晶学化学工程物理化学冶金物理有机化学电子工程类量子力学
网址	https://doi.org/10.1038/nmat4465
DOI	10.1038/nmat4465 doi
其它	期刊：Nature Materials 作者：Hong Li; Charlie Tsai; Ai Leen Koh; Lili Cai; Alex W. Contryman; et al 出版日期：2016-01-01
求助人	科研 wang 在 2023-03-19 17:39:26 发布自广东，悬赏 10 积分
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