| 标题 |
 High-mobility p-channel wide-bandgap transistors based on hydrogen-terminated diamond/hexagonal boron nitride heterostructures 相关领域
材料科学
光电子学
钻石
晶体管
带隙
异质结
宽禁带半导体
半导体
兴奋剂
电子迁移率
场效应晶体管
电压
电气工程
工程类
复合材料
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Nature Electronics 作者：Yosuke Sasama; Taisuke Kageura; Masataka Imura; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; et al 出版日期：2021-12-24 |
| 求助人 |
曹雅山 在
2022-03-22 20:00:28 发布，悬赏 10 积分
|
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
芝士球球
爱静静
随机子
嗯哼
彭于彦祖
Yziii
加菲丰丰
寻道图强
杳鸢
Frank
xiaojcom
rosalieshi
sissiarno
Leonardi
从容芮
嘉心糖
吉祥
tuanheqi
薰硝壤
皖公网安备34019202002308
