Charge‐Selective, Narrow‐Gap Indium Arsenide Quantum Dot Layer for Highly Stable and Efficient Organic Photovoltaics

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标题	Charge‐Selective, Narrow‐Gap Indium Arsenide Quantum Dot Layer for Highly Stable and Efficient Organic Photovoltaics 相关领域材料科学光伏铟量子点光电子学能量转换效率带隙砷化铟光伏系统有机太阳能电池量子效率氧化铟锡砷化镓纳米技术薄膜电气工程复合材料聚合物工程类
网址	https://doi.org/10.1002/aenm.202104018
DOI	10.1002/aenm.202104018 doi
其它	期刊：Advanced Energy Materials 作者：Youngsang Park; Sung Yong Bae; Taewan Kim; Seongmin Park; Jae Taek Oh; et al 出版日期：2022
求助人	范白容在 2022-05-11 12:52:08 发布，悬赏 10 积分
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