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 Threshold-voltage bias-instability in SiC MOSFETs: effects of stress temperature and level on oxide charge buildup and recovery 相关领域
阈值电压
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材料科学
负偏压温度不稳定性
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Amartya K Ghosh; Jifa Hao; Michael Cook; Samia A Suliman; Xinyu Wang; Osama O Awadelkarim 出版日期：2022 |
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