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 The origin of oxide degradation during time interval between program/erase cycles in NAND Flash memory devices 相关领域
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Yung-Yueh Chiu; Hung-Te-En Tsai; Kai-Chieh Chang; Roshni Kumari; Hsin-Chiao Li; et al 出版日期：2021 |
| 求助人 |
东方明珠 在
2021-12-02 14:06:39 发布，悬赏 10 积分
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