High Internal Quantum Efficiency AlGaN Epilayer Grown by Molecular Beam Epitaxy on Si Substrate

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标题	High Internal Quantum Efficiency AlGaN Epilayer Grown by Molecular Beam Epitaxy on Si Substrate 相关领域外延基质（水族馆）异质结
网址	https://doi.org/10.1149/2162-8777/AC0F15
DOI	10.1149/2162-8777/AC0F15 doi
其它	期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Xue Yin; Songrui Zhao 出版日期：2021
求助人	小君君在 2021-10-17 11:40:37 发布，悬赏 10 积分
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