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 Analysis of degradation mechanisms in GaN-based light-emitting diodes under reverse-bias stress: effects of defects and junction-temperature increase 相关领域
材料科学
光电子学
二极管
发光二极管
p-n结
结温
降级（电信）
压力（语言学）
电致发光
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| 其它 |
期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Dong-Guang Zheng; Jong-In Shim; Dong-Soo Shin 出版日期：2021-02-20 |
| 求助人 |
研友_qZ6jKZ 在
2021-05-24 11:34:39 发布，悬赏 10 积分
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