Ultrathin Al‐Assisted Al 2 O 3 Passivation Layer for High‐Stability Tungsten Diselenide Transistors and Their Ambipolar Inverter

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标题	Ultrathin Al‐Assisted Al 2 O 3 Passivation Layer for High‐Stability Tungsten Diselenide Transistors and Their Ambipolar Inverter 相关领域钝化材料科学二硒化钨双极扩散光电子学兴奋剂二硒醚图层（电子）晶体管纳米技术钨场效应晶体管过渡金属电气工程冶金电子化学生物化学量子力学硒电压催化作用工程类物理
网址	https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/aelm.2021010...
DOI	10.1002/aelm.202101012 doi
其它	期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Haewon Cho; Pavan Pujar; Yong In Cho; Seongin Hong; Sunkook Kim 出版日期：2021-12-27
求助人	宓函在 2021-12-27 21:07:31 发布，悬赏 10 积分
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