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Effects of Ti Buffer Layer on Retention and Electrical Characteristics of Cu-Based Conductive-Bridge Random Access Memory (CBRAM)
Ti缓冲层对铜基导电桥随机存取存储器(CBRAM)保持和电学特性的影响
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期刊:ECS Solid State Letters 作者:Behnoush Attarimashalkoubeh; Amit Prakash; Sangheon Lee; Jeonghwan Song; Jiyong Woo; et al 出版日期:2014-07-30 |
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