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标题
28-nm UTBB FD-SOI vs. 22-nm Tri-Gate FinFET Review: A Designer Guide—Part I
28纳米UTBB FD-SOI与22纳米三栅FinFET评述:设计者指南——第一部分
相关领域
晶体管 绝缘体上的硅 节点(物理) CMOS芯片 可靠性(半导体) 电气工程 电子工程 工程类 材料科学 光电子学 工程物理 物理 功率(物理) 结构工程 量子力学 电压
网址
DOI
10.4236/cs.2017.84006 doi
其它 期刊:Circuits and Systems
作者:Ali Mohsen; Ahmad Harb; Nathalie Deltimple; Abraham Serhane
出版日期:2017-01-01
求助人
考虑考虑 在 2023-10-15 15:59:50 发布自湖北,悬赏 10 积分
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