Enhancing Uniformity, Read Voltage Margin, and Retention in Three-Dimensional and Self-Rectifying Vertical Pt/Ta2O5/Al2O3/TiN Memristors

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标题	Enhancing Uniformity, Read Voltage Margin, and Retention in Three-Dimensional and Self-Rectifying Vertical Pt/Ta2O5/Al2O3/TiN Memristors 提高三维自整流垂直Pt/Ta2O5/Al2O3/TiN忆阻器的均匀性、读取电压裕度和保持率相关领域材料科学锡分析化学（期刊）冶金色谱法化学
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.4c15598
DOI	10.1021/acsami.4c15598 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：T. Park; Ji‐Won Moon; Dong‐Hoon Shin; Hae Jin Kim; Seung Soo Kim; et al 出版日期：2024-11-12
求助人	擦撒擦擦在 2024-11-15 11:10:11 发布自陕西，悬赏 10 积分
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