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标题
Modelling of thermal field and point defect dynamics during silicon single crystal growth using CZ technique
用CZ技术模拟硅单晶生长过程中的热场和点缺陷动力学
相关领域
硅 热的 Crystal（编程语言） 半径 晶体生长 材料科学 晶体缺陷 单晶 领域（数学） 光学 机械 凝聚态物理 结晶学 化学 热力学 物理 光电子学 数学 计算机安全 计算机科学 纯数学 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.04.033
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2019.04.033 doi
其它 期刊：Journal of Crystal Growth
作者：Andrejs Sabanskis; J. Virbulis
出版日期：2019-05-02
求助人
学术草履虫 在 2025-02-24 15:43:40 发布自宁夏，悬赏 10 积分
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