Growth of the orthorhombic phase and inhibition of charge injection in ferroelectric HfO2-based MFIS memory devices with a high-permittivity dielectric seed layer

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标题	Growth of the orthorhombic phase and inhibition of charge injection in ferroelectric HfO2-based MFIS memory devices with a high-permittivity dielectric seed layer 具有高介电常数种子层的铁电HfO2基MFIS存储器件中正交相的生长和电荷注入的抑制相关领域材料科学铁电性电介质光电子学成核微观结构正交晶系介电常数复合材料结晶学化学晶体结构有机化学
网址	https://doi.org/10.1007/s40843-022-2124-7
DOI	10.1007/s40843-022-2124-7 doi
其它	期刊：Science China. Materials 作者：Yan Zhang; Dao Wang; Jiali Wang; Chunlai Luo; Ming Li; et al 出版日期：2022-07-27
求助人	山月鹿在 2024-10-19 17:09:52 发布自湖南，悬赏 10 积分
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