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 Integration of boron arsenide cooling substrates into gallium nitride devices 砷化硼冷却衬底集成到氮化镓器件中
相关领域
材料科学
光电子学
砷化镓
热导率
氮化镓
宽禁带半导体
半导体
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磷化镓
钻石
氮化硼
纳米技术
复合材料
图层（电子）
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期刊：Nature electronics 作者：Joon Wun Kang; Man Li; Huan Wu; Huu Duy Nguyen; Toshihiro Aoki; et al 出版日期：2021-06-01 |
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