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 Investigation of charge trapping mechanism in MoS2 field effect transistor by incorporating Al into host La2O3 as gate dielectric 掺杂Al作为栅极介质的MoS2场效应晶体管中电荷俘获机理的研究
相关领域
材料科学
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期刊：Nanotechnology 作者：Kun Yang; Yanning Chen; Shulong Wang; Tao Han; Hongxia Liu 出版日期：2021-03-29 |
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