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 Novel Quad-Interface MTJ Technology and its First Demonstration With High Thermal Stability Factor and Switching Efficiency for STT-MRAM Beyond 2X nm 新型四接口MTJ技术及其首次演示，具有2X nm以上的高热稳定因子和开关效率的STT-MRAM
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：K. Nishioka; H. Honjo; Shoji Ikeda; Takaya Watanabe; S. Miura; et al 出版日期：2020-02-12 |
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