Atomic‐Layer‐Deposited Al 2 O 3 as Effective Barrier against the Diffusion of Hydrogen from SiN x :H Layers into Crystalline Silicon during Rapid Thermal Annealing

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标题	Atomic‐Layer‐Deposited Al 2 O 3 as Effective Barrier against the Diffusion of Hydrogen from SiN x :H Layers into Crystalline Silicon during Rapid Thermal Annealing 原子层沉积Al 2 O 3作为快速退火过程中阻止氢从SiN x：H层扩散到晶体硅中的有效屏障相关领域硅氢材料科学分析化学（期刊）退火（玻璃）氮化硅化学气相沉积晶体硅等离子体增强化学气相沉积化学纳米技术冶金色谱法有机化学
网址	https://doi.org/10.1002/pssr.202000367
DOI	10.1002/pssr.202000367 doi
其它	期刊：Physica Status Solidi (rrl) 作者：Lailah Helmich; Dominic Walter; Dennis Bredemeier; Jan Schmidt 出版日期：2020-10-02
求助人	李十一在 2024-07-31 13:37:57 发布自河北，悬赏 10 积分
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