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Electronic structure and optical properties of Ge- and F-doped α-Ga2O3: First-principles investigations*
掺杂Ge和F的α-Ga2O3的电子结构和光学性质:第一性原理研究*
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期刊:Chinese Physics B/Chinese physics B 作者:Ti-Kang Shu; Rui‐Xia Miao; San‐Dong Guo; Shaoqing Wang; Chen-He Zhao; et al 出版日期:2020-12-01 |
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