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Significant Quantum Efficiency Enhancement of InGaN Red Micro-Light-Emitting Diodes with a Peak External Quantum Efficiency of up to 6%
InGaN红色微发光二极管的量子效率显著提高,峰值外部量子效率高达6%
相关领域
发光二极管
量子效率
光电子学
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二极管
光致发光
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物理
量子力学
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期刊:ACS Photonics 作者:Panpan Li; Hongjian Li; Yaxuan Yao; Norleakvisoth Lim; Matthew Wong; et al 出版日期:2023-05-12 |
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